BSO615CGHUMA1
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Anschlüsse, Verbindungen
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Infineon Technologies BSO615CGHUMA1
| Artikelnummer: | BSO615CGHUMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
-
Infineon Technologies BSO615CGHUMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BSO615CGHUMA1.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-DSO-8 Serie SIPMOS® Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 3.1A, 10V Leistung - max 2W Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.5nC @ 10V FET-Merkmal Logic Level Gate Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.1A, 2A Konfiguration N and P-Channel Grundproduktnummer BSO615 BSO615CGHUMA1 Einzelheiten PDF [English] BSO615CGHUMA1 PDF - EN.pdf -
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