BSO615CGHUMA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | BSO615CGHUMA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-DSO-8 |
Serie | SIPMOS® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 3.1A, 10V |
Leistung - max | 2W |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22.5nC @ 10V |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.1A, 2A |
Konfiguration | N and P-Channel |
Grundproduktnummer | BSO615 |
BSO615CGHUMA1 Einzelheiten PDF [English] | BSO615CGHUMA1 PDF - EN.pdf |
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() BSO615CGHUMA1Infineon Technologies |
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Zielpreis (USD)
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